一般に、ビットラインをセンスアンプで増幅して読み出す従来型SRAMは、セルベースのディジタル型メモリに比べて 「高速だけど電力が大きい」 という特徴があります。今回の発表では、しきい値近傍まで電源電圧を下げてメモリを動作させると、従来型SRAMの読み出し時間は、ディジタル型メモリより遅くなるということを実験的に示しました。つまり、しきい値近傍の電源電圧でメモリを動作させるとき、マルチプレクサやAND/ORセルで構成したディジタル型メモリの方が従来型SRAMより高速かつ低電力ということになります。
今後はこれらのメモリをどう使うかという応用に関する研究に展開したいところです。
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